中國曼哈頓計劃成功 EUV光刻機原型誕生 2028年量產AI晶片目標曝光

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在美國多重落閘,試圖限制中國取得先進技術之術,路透報道指,中國科學家已經成功打造出一部極紫外光(EUV)光刻機的原型機,意味着能夠生產可驅動人工智能AI、智能電話和先進武器的晶片。

EUV光刻機能夠利用極紫外光束在矽片上蝕刻電路,能製造出更小、更密集的電路,能提升晶片的效能及效率,從而生產出最先進、高階的晶片。而這項技術一直被西方供應商壟斷。

報道指,中國科學家今年年初於深圳實驗室裡打造出EUV 原型設備,目前正在測試階段,體積幾乎佔滿整個工廠樓層。這項被形容為「中國曼哈頓計劃」(Manhattan Project)的秘密工程項目,突顯中國銳意在AI 晶片技術領域與西方匹敵。所謂「曼哈頓計劃」即是美國二戰期間研發人類首枚原子彈的秘密軍事計劃。

知情人士透露,這部EUV 光刻機是由一組來自荷蘭晶片設備巨頭ASML 的前工程師團隊打造,透過逆向工程仿製ASML 的EUV 機。目前該部中國EUV 光刻機已能運行並成功產生極紫外光,但尚未生產出可用的晶片。

據報,中國政府的目標是在2028年前實現原型機晶片生產,部份專家則估計有可能到2030年才實現量產,仍比外界認為的「至少10年」大幅提前。

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